STMicroelectronics Sbarca a Catania con un Polo Avanzato per il Carburo di Silicio
A Catania prende forma il nuovo stabilimento dedicato alla produzione di wafer in carburo di silicio (SiC) da 200 mm in grandi volumi, destinati ai dispositivi e moduli di potenza, nonché alle attività di testing e packaging. Lo sviluppo del sito, di cui avevamo parlato il 16 febbraio scorso, è guidato da STMicroelectronics, leader franco-italiano nel settore dei semiconduttori. Ieri a Roma è stato firmato l’Accordo di Sviluppo tra il Ministero delle Imprese e il colosso hi-tech, alla presenza del ministro Adolfo Urso e degli assessori siciliani all’Economia, Alessandro Dagnino, e alle Attività Produttive, Edy Tamajo. «Un passo decisivo per rafforzare la sovranità tecnologica e industriale europea», ha commentato Urso, sottolineando l’importanza strategica dell’investimento per l’Italia e la Sicilia.
Il sindaco di Catania, Enrico Trantino, ha espresso «grande soddisfazione per questo traguardo», ringraziando personalmente il ministro Urso per il sostegno istituzionale. «È la prova che collaborando con una visione condivisa, le comunità locali possono crescere e innovarsi», ha aggiunto, promettendo ulteriore impegno per accompagnare il progetto. Anche il presidente della Regione Siciliana, Renato Schifani, ha voluto ribadire l’impegno dell’Isola: «Abbiamo scelto di partecipare attivamente a questo accordo di portata europea, perché i microchip rappresentano un asset cruciale per l’economia globale».
Il programma – pianificato tra il 2023 e il 2037 (inizialmente previsto fino al 2032) – prevede un investimento complessivo di 5 miliardi di euro, di cui 2,062 miliardi a carico dello Stato, cofinanziati nell’ambito del “European Chips Act”. L’obiettivo è incrementare la capacità produttiva europea di semiconduttori fino al 20 % del mercato mondiale entro il 2030, in risposta anche al “Chips for America Act” varato dagli Stati Uniti. Quando sarà a pieno regime, l’impianto dovrebbe generare circa 3 000 nuovi posti di lavoro, portando l’organico di STMicroelectronics a Catania oltre le 8 000 unità. Si aggiungerà al sito per la produzione di substrati in SiC, attualmente in fase di completamento e finanziato con 730 milioni di euro, che sarà operativo nel 2026.
Il Piano di Sviluppo include anche un cofinanziamento regionale fino a 300 milioni di euro, da definire in un atto integrativo, con risorse provenienti dalla Piattaforma per le Tecnologie Strategiche Europee (STEP). Il “Silicon Carbide Campus” che nascerà a Catania offrirà un’integrazione verticale completa, ospitando su un unico sito l’intero ciclo produttivo di wafer, test e packaging. Il nuovo centro risponde alla crescente domanda di componenti SiC nei settori automotive, industriale e delle infrastrutture cloud, assicurando maggiore efficienza energetica e sostenibilità. Il 42 % delle forniture sarà di provenienza italiana (3,9 miliardi di euro), coinvolgendo 280 fornitori, di cui l’84 % PMI nazionali e 135 imprese siciliane.
